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IRFP260N Transistor MOSFET Canal-N 50A 200V

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IRFP260N — MOSFET N-Channel 50A 200V (TO-247AC) : transistor de puissance basse RDS(on) et haute tenue en tension, conçu pour applications de commutation, onduleurs et drivers de moteurs. Fiable, rapide et adapté aux projets industriels et amateurs exigeants au Maroc.

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⚡ IRFP260N — Transistor MOSFET Canal-N 50A 200V (TO-247AC)

Le IRFP260N Transistor MOSFET Canal-N 50A 200V TO-247AC est un MOSFET de puissance performant, idéal pour les projets de commutation, de conversion d’énergie et de commande de moteurs. Grâce à sa faible résistance à l’état passant et sa tenue en tension élevée (200 V), il offre un excellent rendement et une fiabilité exceptionnelle pour vos montages électroniques professionnels ou de prototypage.


🔧 Caractéristiques principales

  • 🔋 Type : MOSFET N-Channel (Canal N)

  • Tension drain-source : 200 V

  • 🔁 Courant continu : 50 A (35 A à 100 °C)

  • 🔥 Résistance RDS(on) : 0,04 Ω typique (VGS = 10 V)

  • Courant d’impulsion : 200 A

  • 🧊 Puissance dissipable : 300 W

  • 🕒 Temps de commutation : très rapide (≈17 ns en montée, 55 ns en descente)

  • 📦 Boîtier : TO-247AC (montage traversant, excellent refroidissement)

  • 🔋 Compatible : Arduino, ESP32, Raspberry Pi (via driver de grille adapté)


🛠️ Avantages et applications

  • Haute efficacité énergétique grâce à un RDS(on) extrêmement faible.

  • Très bonne tenue en tension (200 V) pour les circuits de puissance et les onduleurs.

  • Excellent comportement thermique, parfait pour les systèmes à forte dissipation.

  • Idéal pour :

    • les alimentations à découpage,

    • les amplificateurs audio haute puissance,

    • les commandes de moteurs DC ou brushless,

    • les projets d’automatisation et d’électronique industrielle.


⚠️ Conseils d’utilisation

  • Ne pas connecter la grille directement à un microcontrôleur : utilisez un driver de grille (ex. IR2110 ou TC442x) pour une commutation rapide et sûre.

  • Ajoutez une résistance de grille (10 – 220 Ω) et un pull-down (100 kΩ) vers la masse.

  • Montez le composant sur un dissipateur thermique avec pâte isolante pour éviter la surchauffe.

  • Ajoutez une diode de roue libre pour toute charge inductive (moteur, relais, bobine).


💻 Exemple d’utilisation avec Arduino

Schéma de principe

  • Arduino D9 → 220 Ω → Gate (IRFP260N)

  • Source → GND commun (Arduino)

  • Drain → charge (moteur, LED, etc.) → +V

  • Pull-down 100 kΩ entre Gate et Source

  • Diode de roue libre si charge inductive

Code Arduino simple (PWM)

const int gatePin = 9;   // broche PWM
void setup() {
  pinMode(gatePin, OUTPUT);
}
void loop() {
  // test progressif PWM
  for (int duty = 0; duty <= 255; duty++) {
    analogWrite(gatePin, duty);
    delay(8);
  }
  for (int duty = 255; duty >= 0; duty--) {
    analogWrite(gatePin, duty);
    delay(8);
  }
}

Étapes à suivre :

  1. Reliez la masse du MOSFET et celle d’Arduino ensemble.

  2. Vérifiez la polarité avant alimentation.

  3. Commencez avec une petite charge et surveillez la température du boîtier.


📊 Spécifications techniques

Paramètre Valeur
Tension drain-source (Vds) 200 V
Courant continu (Id) 50 A
RDS(on) max 0,04 Ω
Puissance dissipée 300 W
Courant d’impulsion 200 A
Boîtier TO-247AC
Température de jonction -55 °C à +175 °C

📦 Contenu de l’emballage

  • 1 × Transistor MOSFET IRFP260N (Canal N, boîtier TO-247AC)

Le dissipateur, vis et câblage ne sont pas inclus.

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