Le IRF630 MOSFET est un transistor de puissance de troisième génération spécialement conçu pour les applications nécessitant une commutation à haute vitesse. Ce composant est une excellente combinaison de faible résistance à l’état passant, de coût efficace et de conception robuste.
Le IRF630 MOSFET est conçu pour supporter une tension de charge jusqu’à 200 V et un courant de 9 A. Il peut fournir un courant jusqu’à 36 A en mode impulsionnel pendant 300 µs avec un cycle de service de 2 %. Ce MOSFET de puissance est spécialement conçu pour minimiser la capacitance d’entrée et les changements de porte, et est disponible dans un boîtier TO-220.
Applications
Les applications de l’IRF630 sont les suivantes :
- Alimentation solaire
- Pilotes de moteurs
- Chargeurs de batteries
- Applications de télécommunication
- Applications de commutation haute vitesse
- Gestion de puissance
- Appareils portables
Caractéristiques Techniques
- Type de transistor : N-canal
- Tension maximale appliquée de la source au drain (VDS) : 200 V
- Courant maximal du drain (continu) ID : 9 A
- Courant maximal du drain (impulsion) : 36 A
- Puissance maximale dissipée : 74 W
- Résistance à l’état passant entre le drain et la source : 0,40 Ω
- Tension de grille à source : ±20 V
- Charge de grille QD : 43 nC
- Résistance dynamique dv/dt : 5,8 V/ns
- Plage de température de jonction et de stockage en fonctionnement : -55 à 150 ˚C
- Boîtier : TO-220
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