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MOSFET FQA10N80C 800V 10A N-Ch

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Le MOSFET FQA10N80C 800V 10A N-CH est un transistor de puissance à canal N, haute tension et faible RDS(on), parfait pour les circuits de puissance, les alimentations à découpage et les applications industrielles exigeantes.

35,0 DH

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⚡ MOSFET FQA10N80C 800V 10A N-Channel – FQPF10N80C / FQPF10N80 / 10N80C TO-3P

Le MOSFET FQA10N80C 800V 10A N-CH est un transistor de puissance à canal N hautement performant, idéal pour les alimentation à découpage (SMPS), convertisseurs de puissance, inverters, et applications industrielles haute tension.
Basé sur la technologie DMOS planaire de Fairchild, ce FQA10N80C 800V N-Channel MOSFET offre une faible résistance à l’état passant, une vitesse de commutation rapide, et une excellente capacité à supporter les surtensions et les impulsions d’énergie élevées.

Grâce à sa robustesse et son efficacité, le FQPF10N80C / FQPF10N80 / 10N80C TO-3P constitue un choix fiable pour les projets électroniques et industriels au Maroc, où stabilité et fiabilité sont essentielles.


⚙️ Caractéristiques principales du MOSFET

  • Type de transistor : MOSFET à effet de champ à enrichissement (N-Channel)

  • 🔋 Tension drain-source maximale (Vds) : 800 V

  • 🔌 Courant de drain maximal (Id) : 10 A

  • 🔧 Résistance à l’état passant (Rds(on)) : 1.1 Ω @ Vgs = 10V

  • ⚙️ Puissance dissipée maximale (Pd) : 240 W

  • 🔹 Tension grille-source maximale (Vgs) : ±30 V

  • 🔸 Charge totale de grille (Qg) : 45 nC

  • ⏱️ Temps de montée (tr) : 130 ns

  • 🔁 Test avalanche à 100 %

  • 💡 Boîtier : TO-3P ou TO220F selon la version (isolation plastique)


💪 Avantages et performances

  • Très faible perte de conduction pour une meilleure efficacité énergétique

  • Commutation rapide adaptée aux applications à haute fréquence

  • Excellente stabilité thermique jusqu’à 150 °C

  • Faible charge de grille (Qg) pour un pilotage plus simple

  • Résistance élevée aux surtensions et meilleure capacité dv/dt

Ce MOSFET FQA10N80C est donc idéal pour les circuits de commande moteur, onduleurs, drivers LED, ou encore alimentations à découpage industrielles.


💡 Exemple d’utilisation avec Arduino

Vous pouvez tester ce MOSFET en le commandant avec un signal PWM (modulation de largeur d’impulsion) depuis un microcontrôleur tel que l’Arduino UNO, pour piloter une charge (comme un moteur ou une lampe DC).

// Exemple Arduino : Commande PWM d'un MOSFET FQA10N80C
int mosfetPin = 9; // broche PWM reliée à la grille du MOSFET

void setup() {
  pinMode(mosfetPin, OUTPUT);
  Serial.begin(9600);
  Serial.println("Test MOSFET FQA10N80C...");
}

void loop() {
  // Variation de luminosité / puissance
  for (int pwm = 0; pwm <= 255; pwm++) {
    analogWrite(mosfetPin, pwm);
    delay(10);
  }
  for (int pwm = 255; pwm >= 0; pwm--) {
    analogWrite(mosfetPin, pwm);
    delay(10);
  }
}

🔧 Étapes :

  1. Connectez la grille (G) à la broche PWM D9 via une résistance de 220 Ω

  2. Reliez la source (S) à la masse (GND)

  3. Connectez la charge (moteur ou LED) entre le +Vcc et le drain (D)

  4. Chargez le code dans votre Arduino

  5. Observez la variation de la tension sur la charge


📦 Contenu de l’emballage

  • 1 × MOSFET FQA10N80C 800V 10A N-Channel (boîtier TO-3P )


🧰 Applications courantes

  • Alimentation à découpage (SMPS)

  • Commande de moteurs DC

  • Éclairage LED haute puissance

  • Onduleurs et convertisseurs DC-AC

  • Régulation de tension et filtres de puissance

Catégorie :

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